快速的规格
Ansys RaptorH在lvs前阶段提取电磁模型，用于任意布线和布局，包括平面(固体或穿孔)、圆形、螺旋电感和MiM/MoM电容，并自动设置边界条件。GUI允许点击网络选择和假设分析。
在硅EM建模
硅设计中的电磁耦合和干扰建模
Ansys RaptorH是一款电磁建模软件，能够建模电网，全定制块，螺旋电感和时钟树。它的高速分布式处理提供了精确的硅验证s参数和RLCk模型。RaptorH可以在设计阶段分析部分布局和未完成布局，并使其易于使用通用布局基于发动机或硅优化RaptorX发动机的硅结构。
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选择HFSS或猛禽引擎
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读取加密的铸造技术文件
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与所有电路模拟器工作
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经过硅验证的精确EM模型
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兼容所有IC设计平台和流程
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最高精度 -
高容量 -
读取加密的Foundry文件
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分布式处理 -
自动边界条件 -
优化了硅
为串音优化高速串行链路
英伟达应用Ansys Raptor EM分析来降低硅上高速串行链路的风险。
随着芯片尺寸、复杂性和工作频率的增长，精确分析电磁耦合以确保工作硅变得至关重要。
Ansys RaptorH电磁(EM)建模软件为分析半导体电路进行了优化。它通过结合金标准Ansys HFSS引擎和硅优化的Ansys RaptorH引擎实现了最高的精度。通过对用户透明的选择，RaptorH提供了无与伦比的能力来建模任意复杂的硅结构。
RaptorH得到了所有主要硅晶圆制造商的支持，可以读取加密技术文件，通过HFSS或Raptor引擎进行分析。
使用RaptorH, RLCk建模和仿真在几分钟内完成，而不是几小时。此外，它的速度与核的数量成线性关系。RaptorH将其建模引擎的准确性与每年数百个硅器件的实验室测量数据进行对比。现在测量的设备数量超过3000个，覆盖频率高达110GHz。
硅设计中的电磁耦合和干扰建模
Ansys RaptorH电磁(EM)建模软件为分析半导体电路进行了优化，并通过结合金标准实现了最高的精度Ansys基于发动机与硅优化Ansys RaptorH发动机。RaptorH无与伦比的能力和建模速度计算复杂电路的RLCk寄生，如电网，全定制块，螺旋电感，MiM/MoM电容和时钟树。RaptorH不需要边界条件或特殊端口，并且GUI支持简单的图形网络选择。RaptorH可与所有电路模拟器物理实现平台一起工作。
关键特性
最快速、最准确的前置lvs硅器件电磁提取和建模。
- 包括基于引擎
- 读取加密的铸造技术文件
- 无与伦比的速度和容量
- 为任意硅结构建模
- 压实RLCk寄生
- 交互式GUI网络选择
Ansys RaptorH让你透明地选择基于发动机和猛禽发动机。这种发动机的组合提供了超高的能力，结合硅精确的结果和快速的建模时间。
随着电路复杂性的增加，您的设计可能包括数百个端口或网络。RaptorH是市场上唯一的产品，由于其无与伦比的能力，可以计算高度复杂的电路，如电网，全定制块，螺旋电感和时钟树的RLCk寄生。
Ansys RaptorH可以精确提取任何任意的路由和布局，包括电网，平面(固体和穿孔)，圆形和MiM/MoM电容。它不需要定义边界条件或特殊类型的端口。RaptorH生成被动、因果模型作为s参数模型(用于交流、谐波平衡和SP分析)和高度紧凑的RLCk网表模型，适用于瞬态、射电和噪声分析。
使用Ansys RaptorH, RLCk建模和仿真在几分钟内完成，而其他解决方案可能需要数小时。此外，它的速度与核的数量成线性关系。
Ansys将RaptorH的准确性与每年数百个硅器件的实验室测量数据进行对比。被测量的设备池现在超过3000个，覆盖了所有生产技术节点。模型以测量为基准，最高可达110 GHz。
Ansys RaptorH是优化分析半导体电路，并得到所有主要硅铸造厂的良好支持。它可以读取由铸造厂加密的技术描述文件，并可以使用这些文件与HFSS或Raptor引擎建立分析。
Ansys RaptorH的GUI允许基于点和点击的网络选择过程，并可以使用现有的布局引脚和标签。它可以很容易地添加或排除网络，用于调试带有“假设”分析的电路和评估块之间的串扰。RaptorH还支持对常规作业的批处理运行。RaptorH集成了所有流行的设计和物理实现平台。
Ansys RaptorH集成到所有主要的EDA供应商的LVS/RC提取流程，并提供与流行的定制布局工具的点和点击集成。
Ansys软件可访问
对Ansys来说，所有用户，包括残疾人，都能访问我们的产品是至关重要的。因此，我们努力遵循基于美国访问委员会(Section 508)、Web内容可访问性指南(WCAG)和自愿产品可访问性模板(VPAT)的当前格式的可访问性要求。
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